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開發(fā)新的工藝、封裝和電路設(shè)計技術(shù)，從而為客戶的應(yīng)用提供性能出色的器件。致力于幫客戶解決以下主要電源設(shè)計挑戰(zhàn)：提高功率密度、延長電池壽命、減少電磁干擾 (EMI)、增強電源和信號完整性以及提高系統(tǒng)安全性。
存儲器電源 IC,高密度、高效、具有成本效益。
擁有廣泛多樣的 DDR 端接器產(chǎn)品系列，可滿足客戶的系統(tǒng)要求，同時還提供基于線性和開關(guān)穩(wěn)壓器的解決方案供客戶選擇。DDR VDDQ 和 VTT 器件具有較低的內(nèi)部基準(zhǔn)，以調(diào)節(jié)低 DDR 內(nèi)核和終端輸出電壓。與標(biāo)準(zhǔn)線性和開關(guān)穩(wěn)壓器相比，DDR 端接器可以灌入或拉取終端電流，并且具有外部基準(zhǔn)輸入，可跟蹤 VDDQ/2 輸入并生成 VTT 終端電壓軌。
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